特許
J-GLOBAL ID：200903029430265672
光半導体電極、およびそれを用いた光電池
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-199079
公開番号（公開出願番号）：特開平11-265738
出願日： 1998年07月14日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：
【要約】【課題】 光電変換効率、安定性に優れ、安価にかつ容易に製造可能な光半導体電極、およびそれを用いた光電池。【解決手段】 導電性基体と、この導電性基体上に設けられた光電変換層を有し、対向電極と共に電解質に接触した状態で使用される光半導体電極であって、光電変換層は有機顔料を保持した構造からなる。光電池は、前記光半導体電極と対向電極と一体的に使用され、電解質に接触した状態で配置される。有機顔料は、チタニルフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン等のフタロシアニン等系顔料、あるいはナフタロシアニン系顔料が好適に使用される。
請求項（抜粋）：
導電性基体上に光電変換層を有し、対向電極と共に電解質に接触する状態で使用される光半導体電極であって、前記光電変換層が有機顔料を保持した層からなることを特徴とする光半導体電極。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01M 14/00 P
, H01L 31/04 D
