特許
J-GLOBAL ID：200903029430923564
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-027062
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244137
出願日： 1993年02月17日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】高融点金属シリサイド層を有する半導体装置を製造する場合に、高温熱処理によってシリサイドが凝集を起こすことを抑制する。【構成】高融点金属シリサイド中に全率固溶体を形成するような金属を混入させ、熱処理時に結晶粒が増大することを抑制し、凝集を防ぐ。
請求項（抜粋）：
Si単結晶基板上に形成された熱凝集性を有する高融点金属シリサイド中に全率固溶体を形成するような金属を含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/336
, H01L 29/784
