特許

J-GLOBAL ID：200903029443179589

半導体装置及びその製造方法

発明者： 石合 善徳 ,  井本 努 ,  遠山 隆之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-231816
公開番号（公開出願番号）：特開2003-045897
出願日： 2001年07月31日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：

【要約】【課題】 ゲート拡散層とゲート電極との接触抵抗が低くて高速な動作を実現することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 高電子移動度トランジスタにおけるゲート拡散層24の表面とゲート電極25としての金属層とが合金化している。このため、ゲート拡散層24の表面とゲート電極25としての金属層とが単に接触しているだけの場合に比べて、ゲート拡散層24とゲート電極25との接触抵抗が低く、高速な動作を実現することができる。

請求項（抜粋）：

ゲート拡散層とこのゲート拡散層に接触しているゲート電極とを有する半導体装置において、前記ゲート拡散層の表面と前記ゲート電極としての金属層とが合金化している半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/808 ,  H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 29/80 F ,  H01L 29/80 C ,  H01L 29/62 Z

Fターム (30件)：

4M104AA05 ,  4M104BB09 ,  4M104DD57 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104FF13 ,  4M104GG11 ,  4M104HH15 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK05 ,  5F102GL04 ,  5F102GM06 ,  5F102GN06 ,  5F102GQ02 ,  5F102GR09 ,  5F102GS02 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC05 ,  5F102HC15 ,  5F102HC16 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21