特許

J-GLOBAL ID：200903029445823469

固体撮像装置

発明者： 山下 浩史
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-288870
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100754
出願日： 2000年09月22日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】信号蓄積部に蓄積された信号電荷を十分に読み出すために、読み出し用のゲート電極下部のチャネル領域におけるチャネル電位を、読み出し時に高くすることを特徴とする。【解決手段】p型シリコン半導体基板21の表面から基板の深さ方向に所定距離離れた位置に形成され、入力光を光電変換して得られた信号電荷を蓄積するn型拡散層24を有する光電変換領域25と、光電変換領域25に隣接して基板上に形成され、n型拡散層24に蓄積された信号電荷を読み出す制御を行なうゲート電極26と、ゲート電極26下部のチャネル領域に形成され、ゲート電極26の閾値を制御するためのn型拡散層27とを具備し、n型拡散層24はゲート電極26の端部から水平方向に所定距離離れた位置に形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に単位画素が二次元行列状に配置された撮像領域を有し、上記各単位画素はそれぞれ、上記半導体基板の表面から基板の深さ方向に所定距離離れた位置に形成され、入力光を光電変換して得られた信号電荷を蓄積する第1導電型の第1半導体領域からなる信号蓄積部を有する光電変換領域と、上記光電変換領域に隣接して上記半導体基板上に形成され、上記信号蓄積部に蓄積された信号電荷を読み出す制御を行なうゲート電極と、上記ゲート電極下部のチャネル領域に形成され、上記ゲート電極の閾値を制御するための第1導電型の第2半導体領域とを具備し、上記信号蓄積部は上記ゲート電極の端部から水平方向に所定距離離れた位置に形成されることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (4件)：

H04N 5/335 E ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 G

Fターム (26件)：

4M118AA03 ,  4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118EA01 ,  4M118EA07 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  5C024CX03 ,  5C024CX17 ,  5C024CX32 ,  5C024GX01 ,  5C024GY31 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA04 ,  5F049NA05 ,  5F049NB05 ,  5F049RA02 ,  5F049RA08 ,  5F049UA01 ,  5F049UA07 ,  5F049UA14