特許
J-GLOBAL ID：200903029447919781
酸化物結晶膜の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-089667
公開番号（公開出願番号）：特開平6-305897
出願日： 1993年04月16日
公開日（公表日）： 1994年11月01日
要約：
【要約】【構成】 基板上に、酸化物膜を形成し、該酸化物膜の表面をダイヤモンド状炭素膜で被覆した後、熱処理する酸化物結晶膜の製造方法。【効果】 強誘電性酸化物膜中に蒸気圧の高い元素が存在している場合でも、ダイヤモンド状炭素膜が、熱処理中の蒸気圧の高い構成元素の蒸発を抑えることとなる。つまり、蒸気圧の大きく異なる成分からなる酸化物膜において、熱処理が終了して酸化物膜が結晶化した後でも、その酸化物膜の成膜時の組成変化の発生を防止し、ストイキオメトリ組成を維持することができ、高品質な酸化物結晶膜を再現性良く得ることができる。従って、上記酸化物膜のような強誘電体材料を用いた不揮発性メモリ等の各種デバイスへの応用が可能となる。
請求項（抜粋）：
基板上に、酸化物膜を形成し、該酸化物膜の表面をダイヤモンド状炭素膜で被覆した後、熱処理することを特徴とする酸化物結晶膜の製造方法。
IPC (5件)：
C30B 29/32
, C23C 16/40
, C23C 16/56
, H01L 41/24
, H01L 21/20
