特許

J-GLOBAL ID：200903029456140525

半導体受光素子の製造方法

発明者： 宮本 育昌 ,  中村 毅 ,  山田 高幸 ,  経塚 信也
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-220191
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065205
出願日： 1996年08月21日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】 良好な界面特性をもつ傾斜超格子型アバランシェフォトダイオードを提供する。【解決手段】 本発明では、結晶半導体薄膜からなる井戸層と結晶半導体薄膜からなる障壁層とを順次積層してなる半導体受光素子の製造に際し、十分な膜厚の第1のアモルファス半導体薄膜を成膜し、アニールにより前記第1のアモルファス半導体薄膜とを結晶し、第1の結晶半導体薄膜を形成する工程と、前記第1のアモルファス半導体薄膜と同一材料からなり前記第1のアモルファス半導体薄膜よりも薄い第2のアモルファス半導体薄膜を成膜する工程と、この上層に前記結晶半導体薄膜からなる障壁層を成膜する工程と、前記第2のアモルファス半導体薄膜に、前記第1の結晶半導体薄膜を核として再結晶化する程度のエネルギーを付与し第2の結晶半導体薄膜を形成する工程とを含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

1対の電極間に、結晶半導体薄膜からなる井戸層と結晶半導体薄膜からなる障壁層とを積層してなる増倍層を具備してなる半導体受光素子の製造方法において、前記増倍層の形成工程が、十分な膜厚の第1のアモルファス半導体薄膜を成膜し、アニールにより前記第1のアモルファス半導体薄膜を結晶化し、第1の結晶半導体薄膜を形成する工程と、前記第1のアモルファス半導体薄膜と同一材料からなり前記第1のアモルファス半導体薄膜よりも薄い第2のアモルファス半導体薄膜を成膜する工程と、 この上層に前記結晶半導体薄膜からなる障壁層を成膜する工程と、前記第2のアモルファス半導体薄膜に、前記第1の結晶半導体薄膜を核として再結晶化する程度のエネルギーを付与して結晶化し第2の結晶半導体薄膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体受光素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 31/107 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268

FI (3件)：

H01L 31/10 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z