特許
J-GLOBAL ID：200903029460611109
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-271652
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098008
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：
【要約】【課題】微細化されてもコンタクト抵抗が低く、不純物拡散層と半導体基板との間の電流リークも少ない半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】Si基板11に達するコンタクト孔23を形成した後、コンタクト孔23を介して不純物拡散層24を形成し、不純物拡散層24の濃度が最も高い深さにまで達する溝25を形成する。このため、コンタクト孔23に臨むSi基板11の露出面積が広くなるとともに不純物拡散層24の濃度が溝25の底面で最も高くて、コンタクト抵抗が低い。しかも、溝25の深さは10〜20nmと浅いので、溝25を形成する際にSi基板11に与える損傷も少ない。
請求項（抜粋）：
半導体基板に達するコンタクト孔を前記半導体基板上の絶縁膜に形成する工程と、前記コンタクト孔を介して前記半導体基板に不純物を導入する工程と、前記不純物を活性化させるための熱処理を行う工程と、前記コンタクト孔に連通し且つ前記不純物が最も高い濃度を有している深さにまで達する溝を前記半導体基板に形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/28 L
, H01L 21/90 C
