高周波回路装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-025004
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222401
出願日： 1995年02月14日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】抵抗器の放熱性が良く、また高周波特性の劣化が少ない高周波回路装置を提供する。【構成】絶縁体基板21上に形成された金属膜回路パタ-ン22間に接続されるチップ抵抗器25を具備し、チップ抵抗器25は、抵抗膜パタ-ンおよびこの抵抗膜パタ-ンの両端に接続される電極26a、26b、抵抗膜パタ-ンと電気的に接続されない放熱用金属膜パッド29a、29bのそれぞれが絶縁体チップ上に形成され、また、チップ抵抗器25の電極26a、26bは誘電体基板上に形成された金属膜回路パタ-ン22に接続され、そして、チップ抵抗器25の放熱用金属膜パッド30a、30bは誘電体基板上に形成された放熱用金属膜パタ-ン30a、30bと熱的に接続している。

請求項（抜粋）：

誘電体基板上に所定の間隔で形成された第1および第2の金属膜回路パタ-ンと、この第1および第2の金属膜回路パタ-ン間に接続されたチップ抵抗器とを具備した高周波回路装置において、前記チップ抵抗器は、抵抗膜パタ-ンおよびこの抵抗膜パタ-ンの両端に電気的に接続される電極、前記抵抗膜パタ-ンと電気的に接続されない放熱用金属膜パッドのそれぞれを絶縁体チップ上に形成して構成され、また、前記チップ抵抗器の前記電極が前記誘電体基板上に形成された前記金属膜回路パタ-ンと電気的に接続され、かつ、前記チップ抵抗器の前記放熱用金属膜パッドと熱的に接続される放熱用金属膜パタ-ンが、前記誘電体基板上に形成されたことを特徴とする高周波回路装置。

IPC (4件)：

H01C 1/084 , H01C 7/00 , H01P 1/30 , H01P 5/19

FI (4件)：

H01C 1/084 , H01C 7/00 B , H01P 1/30 Z , H01P 5/19 A

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