特許
J-GLOBAL ID:200903029475355800

低温化学蒸着法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 押田 良久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-273600
公開番号(公開出願番号):特開平5-195228
出願日: 1992年09月17日
公開日(公表日): 1993年08月03日
要約:
【要約】【目的】 非自然性揮発性液体を用い安全低温化学蒸着。【構成】 二酸化珪素の薄膜を低圧CVD法により、1、4-ジシラブタンを珪素先駆物質として、又分子酸素と酸素の原料として用いる蒸着の方法であり、前記蒸着法が、100°Cという低温で薄膜を基板に、薄膜に炭素をほとんど残さないで着接させることと、前記1、4-ジシラブタンを、毒性、自然性圧縮ガスであるシランの代替として使用できることを特徴とする。
請求項(抜粋):
基板を約95°C乃至約500°Cの温度に真空中で加熱する工程と;次の一般式、 H3Si-CH(R)-[CH(R′)]y-CH(R′′)-SiH3[式中、yは0、1、2、3、4、5、6、そして、R、R′、R′′はHとC1-C3炭化水素から本質になる群より独立して選ばれる]。を有する有機ジシランから本質的になる珪素含有供給材料と酸素含有供給材料を前記真空に導入する工程と;前記温度と真空条件を維持して、二酸化珪素の薄膜を前記基板に蒸着させる工程と;からなる低温化学蒸着法。
IPC (2件):
C23C 16/42 ,  C23C 16/46

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