特許

J-GLOBAL ID：200903029475399750

スズめっき方法

発明者： ワン・チャン ,  アンドレ・エグリ ,  ヨハン・ヒーバー ,  フェリックス・シュワガー
出願人/特許権者： ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー.
代理人 (3件)： 千田 稔 ,  辻永 和徳 ,  橋本 幸治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-321768
公開番号（公開出願番号）：特開2004-263291
出願日： 2003年09月12日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：

【課題】プリント配線板基体、リードフレーム、半導体パッケージ、チップコンデンサ、チップ抵抗、コネクタまたは接点である電子デバイスにおいて、銅または銅含有合金基体の上にスズまたはスズ合金層を電着する方法において、ウィスカー形成の傾向を抑制する。【解決手段】リン酸20〜80体積%、カルボン酸50〜80体積%、アルカリ金属水酸化物、有機溶媒を含む溶液によって基体を電解処理し、処理済み基体の表面にスズまたはスズ合金の層を電着する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

リン酸およびカルボン酸を含む溶液によって基体を電解処理することと; 処理済み基体の表面にスズまたはスズ合金の層を電着すること; を含む、スズまたはスズ合金の層を基体に電着する方法。

IPC (6件)：

C25D5/34 ,  C25D3/30 ,  C25D3/60 ,  C25D7/00 ,  C25D7/12 ,  H01L23/50

FI (8件)：

C25D5/34 ,  C25D3/30 ,  C25D3/60 ,  C25D7/00 G ,  C25D7/00 H ,  C25D7/00 J ,  C25D7/12 ,  H01L23/50 D

Fターム (25件)：

4K023AA17 ,  4K023AB28 ,  4K023AB34 ,  4K023AB38 ,  4K023AB40 ,  4K023BA29 ,  4K023CB33 ,  4K023DA02 ,  4K023DA06 ,  4K023DA07 ,  4K023DA08 ,  4K023DA11 ,  4K024AA07 ,  4K024AA21 ,  4K024AB01 ,  4K024BA09 ,  4K024BB09 ,  4K024BB10 ,  4K024BB11 ,  4K024BB12 ,  4K024BB13 ,  4K024DA02 ,  4K024GA16 ,  5F067DC16 ,  5F067EA04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第5,750,017号明細書