特許

J-GLOBAL ID：200903029479308652

半導体発光素子並びに光ファイバモジュール装置および半導体発光素子ディスプレイ装置

発明者： 和田 安弘
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-179099
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038153
出願日： 1993年07月20日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】 光出射面に電極を有せず、外部量子効率を向上させて輝度を高めることができ、発光領域を狭くしていわゆる点発光を実現でき、しかも簡単に作製できる半導体発光素子を提供する。【構成】 n型半導体基板10と、基板10の一つの面の所定領域に設けられたn型半導体層11と、n型半導体層11上に積層されたp型半導体層12と、p型半導体層12上に設けられた第1の電極15を備える。半導体層11,12の近傍に、基板10の上記面に直接、または、基板10と同一の導電型を持つ第3の半導体層(図示せず)を介して設けられた第2の電極14を備える。第1の電極15と第2の電極14との間に通電されたとき、半導体層11と12との接合で発した光lを、基板10の反対側の面17を通して出射する。

請求項（抜粋）：

p型またはn型のいずれかの導電型を持つ半導体基板と、上記半導体基板の導電型と同一の導電型を持ち、上記半導体基板の一つの面の所定領域に設けられた第1の半導体層と、上記半導体基板の導電型と異なる導電型を持ち、上記第1の半導体層上に積層された第2の半導体層と、上記第2の半導体層上に設けられた第1の電極と、上記第1,第2の半導体層の近傍に、上記半導体基板の上記面に直接、または、上記半導体基板の導電型と同一の導電型を持つ第3の半導体層を介して設けられた第2の電極を備えて、上記第1の電極と第2の電極との間に通電されたとき、上記第1の半導体層と第2の半導体層との接合部で発した光を、上記半導体基板の上記面と反対側の面を通して出射するようにしたことを特徴とする半導体発光素子。