特許

J-GLOBAL ID：200903029482424868

半導体装置の製造方法

発明者： 大田 裕之 ,  高塚 弘隆 ,  木内 謙二 ,  宮嶋 基守 ,  佐久間 崇
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-306239
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145273
出願日： 1997年11月07日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】素子分離領域を有する半導体装置の製造方法に関し、良好なトランジスタ特性が得られ、半導体ウェハの欠陥を防止すること。【解決手段】半導体基板上に第1の絶縁膜を形成し、該第1の絶縁膜上に、第1の絶縁膜とはエッチング特性が異なる第2の絶縁膜を形成し、該第2の絶縁膜に第1の開口部を形成して素子分離領域を画定し、該第1の開口部を介して該第1の絶縁膜をエッチングし、該第1の開口部を介して該半導体基板に溝を形成し、該第2の絶縁膜をマスクにして、該第1の絶縁膜に該第1の開口部よりも開口径が大きい第2の開口部を形成し、該第2の開口部を有する第1の絶縁膜をマスクとして該半導体基板をエッチングし、溝内を埋め込んで該第2の絶縁膜上に延在する埋め込み膜を形成し、該第2の絶縁膜をストッパとして、該第2の絶縁膜上の該埋め込み膜を除去し、該第2の絶縁膜を除去する工程を含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、該第1の絶縁膜上に、該第1の絶縁膜とはエッチング特性が異なる第2の絶縁膜を形成する工程と、該第2の絶縁膜に第1の開口部を形成して素子分離領域を画定する工程と、該第1の開口部を介して該第1の絶縁膜をエッチングする工程と、該第1の開口部を介して前記半導体基板をエッチングして、前記半導体基板に溝を形成する工程と、前記第2の絶縁膜をマスクにして、前記第1の絶縁膜に該第1の開口部よりも開口径が大きい第2の開口部を形成する工程と、該第2の開口部を有する該第1の絶縁膜をマスクにして、前記半導体基板をエッチングする工程と、前記溝内を埋め込んで、前記第2の絶縁膜上に延在する埋め込み膜を形成する工程と、該第2の絶縁膜をストッパとして、該第2の絶縁膜上の該埋め込み膜を除去する工程と、該第2の絶縁膜を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。