特許

J-GLOBAL ID：200903029487342150

窒化物系III-V族化合物半導体基板およびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法

発明者： 森田 悦男
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-335849
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164510
出願日： 1998年11月26日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 高品質で大面積の窒化物系III-V族化合物半導体基板およびその製造方法ならびにそれを用いた特性の良好な半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 Si基板1上にAl2 O3 結晶層2を成長させ、その上に窒化物系III-V族化合物半導体層4を成長させることにより窒化物系III-V族化合物半導体基板を製造する。Si基板1の面方位は(111)または(100)とする。Al2 O3 結晶層2はγ-Al2 O3 結晶層またはα-Al2 O3結晶層である。Al2 O3 結晶層2は連続膜でも島状でもよい。基板製造後にSi基板1やAl2 O3 結晶層2を除去してもよい。Si基板1の代わりに他の結晶基板を用いてもよく、結晶基板の代わりにアモルファス基板を用いてもよい。この窒化物系III-V族化合物半導体基板を用いてGaN系半導体レーザやGaN系FETを製造する。

請求項（抜粋）：

エピタキシャル成長したAl2 O3 結晶層と、上記Al2 O3 結晶層上の窒化物系III-V族化合物半導体層とを有することを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体基板。

Fターム (36件)：

5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AA06 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB37 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD09 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AE23 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF07 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB08 ,  5F045CA05 ,  5F045CA07 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA51 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045HA14 ,  5F045HA16 ,  5F045HA22