特許

J-GLOBAL ID：200903029494918556

単一電子トンネルトランジスタ素子の製造方法

発明者： 松井 俊之 ,  鈴木 健 ,  石井 孝志 ,  津田 孝一 ,  向江 和郎
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-074838
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283759
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】酸化物超電導体を用いたチャネル部の粒の均一形成を行う。【構成】基板の表面を凹凸処理したのち、その凹凸高さの2倍以下の膜厚の酸化物超電導体の膜を蒸着することにより、均一な擬似粒界を形成する。超電導体としては、例えばYBa2 Cu3 Ox を用い、基板は単結晶MgOで形成する。

請求項（抜粋）：

凹凸処理を施した基板表面上に、その凹凸の高さの2倍より薄い膜厚の酸化物超電導体の薄膜を形成し、その薄膜からなるチャネルをはさんでソース電極およびドレイン電極、チャネル上に絶縁体を介してゲート電極を設けることを特徴とする単一電子トンネルトランジスタ素子の製造方法。