特許
J-GLOBAL ID：200903029506581412

高透磁率磁性材料

発明者：
中村 昭彦

中村 昭彦 について


出願人/特許権者：
株式会社トーキン

株式会社トーキン について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-105561
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299216
出願日： 1999年04月13日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：
【要約】【課題】 高初透磁率と高いインピーダンス特性を同時に実現することができる高透磁率磁性材料を提供すること。【解決手段】 主成分組成が52.0〜53.0mol%のFe203、19.0〜22.0mol%のZnO、残分MnOからなり、副成分として0.005〜0.025wt%のSiO2、0.04〜0.07wtのCaOを含有し、比抵抗が50Ω・cm以上で、かつ、平均結晶粒径が5μm以上とした高透磁率磁性材料。
請求項（抜粋）：
主成分組成が52.0〜53.0mol%のFe203、19.0〜22.0mol%のZnO、残分MnOからなり、副成分として0.005〜0.025wt%のSiO2、0.04〜0.07wtのCaOを含有し、比抵抗が50Ω・cm以上で、かつ、平均結晶粒径が5μm以上であることを特徴とする高透磁率磁性材料。
IPC (2件)：
H01F 1/34 ,  C01G 49/00
FI (2件)：
H01F 1/34 B ,  C01G 49/00 B
Fターム (10件)：
4G002AA07 ,  4G002AA08 ,  4G002AE04 ,  5E041AB02 ,  5E041AB19 ,  5E041BD01 ,  5E041CA01 ,  5E041NN00 ,  5E041NN02 ,  5E041NN06
引用特許：
審査官引用 (10件)
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