特許
J-GLOBAL ID：200903029508916144
スピン・バルブ・センサ及び磁気記憶システム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-258850
公開番号（公開出願番号）：特開平10-208219
出願日： 1997年09月24日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 スピン・バルブ磁気抵抗読取りセンサを用いてディスク・ドライブにおけるサーマル・アスペリティ現象を検知しかつ実質的に排除する方法および手段を提供する。【解決手段】 ディスク駆動システムが4個のリードをもつスピン・バルブ(SV)磁気抵抗(MR)センサを有し、2個のリード478,480はSV素子448,450,452へ検知電流を与え、2個のリード468,478はアスペリティ補償層(ACL)456へ電流を与える。SV素子及び硬バイアス層442,444は絶縁体454によりACL456から電気的に絶縁されている。SV素子に現われる電圧(サーマル・アスペリティの存在による電圧及びデータ磁場の存在による電圧)及びACL(サーマル・アスペリティの存在による電圧)が差動増幅器580の入力へ印加されることにより、サーマル・アスペリティ信号が実質的に排除される。
請求項（抜粋）：
フリー層、ピン止め層、及び前記フリー層と前記ピン止め層の間に配置されたスペーサ層を具備するスピン・バルブ(SV)素子と、前記SV素子により互いに分離されかつ前記SV素子と連続的結合を形成する第1及び第2の硬バイアス層と、前記ピン止め層の磁化をピン止めするための絶縁性の反強磁性(AFM)層と、前記絶縁性AFM層により前記SV素子及び前記硬バイアス層から分離されたアスペリティ補償層(ACL)と、前記SV素子に対して検知電流を与えるために前記第1及び第2の硬バイアス層と接触して設けられた第1及び第2のSVリードと、前記ACLに対してACL電流を与えるために前記ACLと接触して設けられた第1及び第2のACLリードとを有するスピン・バルブ・センサ。
IPC (3件)：
G11B 5/39
, H01F 10/00
, H01L 43/08
G11B 5/39
, H01F 10/00
, H01L 43/08 Z
