特許
J-GLOBAL ID：200903029511827136
半導体メモリおよび半導体メモリの駆動方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-240028
公開番号（公開出願番号）：特開平7-093978
出願日： 1993年09月27日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】強誘電体を用いて、製造が容易でSN比が高く高集積化に適した不揮発性半導体メモリおよびその駆動方法を提供する。【構成】ダミーセルDMCD,DMCBに、逆の情報を記憶しておく。データ線DL,DBをデータ線短絡手段SWDSにより短絡し、ダミーセルDMCD,DMCBを選択すると、データ線DL,DBに論理1と論理0の信号電位の中間の参照電位が発生する。データ線DL,DBを分離し、メモリセルMC1を選択すると、データ線DLに信号電位が発生する。この信号電位と参照電位の差を読み出す。
請求項（抜粋）：
複数のワード線と、複数のダミーワード線と、対構成のデータ線と、上記ワード線と上記データ線との交差する位置に配置され、強誘電体キャパシタを含んでなるメモリセルと、上記ダミーワード線と上記データ線との交差する位置に配置され、強誘電体キャパシタを含んでなるダミーセルを有するメモリセルアレイを具備し、上記メモリセルに記憶されたメモリセルデータの読み出しを、該メモリセルが接続されたデータ線の信号電位と、他のデータ線の参照電位とを比較して行う半導体メモリにおいて、論理1または論理0の情報を記憶する第一のダミーセルと、該第一のダミーセルと逆の情報を記憶する第二のダミーセルと、第一のダミーセルが接続され、かつ上記メモリセルデータを読み出すデータ線と対構成をなす第一のデータ線と、第二のダミーセルが接続された第二のデータ線とを相互に短絡するデータ線短絡手段を備え、該データ線短絡手段により短絡された上記第一と第二のデータ線に論理1と論理0の信号電位の中間の参照電位を発生させることを特徴とする半導体メモリ。
IPC (4件)：
G11C 14/00
, G11C 11/22
, H01L 21/8242
, H01L 27/108
G11C 11/34 352 A
, H01L 27/10 325 T
