特許
J-GLOBAL ID：200903029514093656
二次元電磁界シミュレーション方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
和泉 良彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-184971
公開番号（公開出願番号）：特開2003-006554
出願日： 2001年06月19日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：
【要約】【課題】誘電率が異なる2つの領域が1つの直線を境界として接している場合の二次元TEモード電磁界を高い精度で計算することを可能とする二次元電磁界シミュレーション方法を提供する事。【解決手段】1つの平面内に、誘電率ε1を有する媒質と、誘電率ε2を有する媒質とが1つの直線を境界として接し、二次元TEモード電磁界が存在する場合に、該平面内に、二次元格子を配置し、各格子点に割り当てられた物理量を用いて時間領域差分法による演算を行う二次元電磁界シミュレーション方法であって、最近接格子点5、第1近接格子点6及び第2近接格子点7に、誘電率として、(εi1+εi2+εi3)/3 = [(1+ 2δ/3)ε1 + (1- 2δ/3)ε2]/2、12(εi3-εi1) = (13- 6δ2)(ε2-ε1)を満足するεi2、εi1及びεi3を、それぞれ、割り当る事を特徴とする二次元電磁界シミュレーション方法を構成する。
請求項（抜粋）：
1つの平面内に透磁率μ・誘電率ε<SB>1</SB>を有する第1の媒質と、透磁率μ・誘電率ε<SB>2</SB>を有する第2の媒質とが1つの直線を境界として接し、前記平面内に、前記平面に平行な交流電界成分を持たない電磁波が存在する場合に、前記平面と等価な仮想平面を前記平面と同一視し、前記仮想平面内に、タイプ1の格子点を、前記境界に垂直なx方向及び平行なy方向に、それぞれ、間隔△x及び△yで二次元配置し、タイプ2の格子点を、前記タイプ1の格子点の位置からx方向に△x/2だけ移動した位置に配置し、タイプ3の格子点を、前記タイプ1の格子点の位置からy方向に△y/2だけ移動した位置に配置し、前記タイプ1の格子点には、該格子点における前記平面と垂直なz方向の電界成分と、該電界成分の時間変化を計算するための誘電率とを割り当て、前記タイプ2の格子点には該格子点におけるy方向の磁界成分を割り当て、前記タイプ3の格子点には該格子点におけるx方向の磁界成分を割り当て、前記電界成分及び磁界成分の時間変化を時間領域差分法によって求める二次元電磁界シミュレーション方法であって、前記境界に最も近い位置にある前記タイプ1の格子点を最近接格子点とし、該最近接格子点から前記境界までの距離を|δ|△xとし、前記最近接格子点が前記境界上または誘電率ε<SB>1</SB>の領域内にある場合に0≦δとし、前記最近接格子点が誘電率ε<SB>2</SB>の領域内にある場合にδ<0とし、誘電率ε<SB>1</SB>の領域にあって前記最近接格子点に最も近い位置にある前記タイプ1の格子点を第1近接格子点とし、誘電率ε<SB>2</SB>の領域にあって前記最近接格子点に最も近い位置にある前記タイプ1の格子点を第2近接格子点とし、式、 (ε<SB>i1</SB>+ε<SB>i2</SB>+ε<SB>i3</SB>)/3 = [(1+ 2δ/3)ε<SB>1</SB> + (1- 2δ/3)ε<SB>2</SB>]/2、(1)及び式、 12(ε<SB>i3</SB>-ε<SB>i1</SB>) = (13- 6δ<SP>2</SP>)(ε<SB>2</SB>-ε<SB>1</SB>) (2)を満足するε<SB>i2</SB>、ε<SB>i1</SB>及びε<SB>i3</SB>を、それぞれ、前記最近接格子点、前記第1近接格子点及び前記第2近接格子点に割り当て、前記最近接格子点と前記第1近接格子点と前記第2近接格子点とを除く前記タイプ1の格子点に、該格子点が誘電率ε<SB>1</SB>の領域にある場合にはε<SB>1</SB>を、該格子点が誘電率ε<SB>2</SB>の領域にある場合にはε<SB>2</SB>を、それぞれ割り当てる事を特徴とする二次元電磁界シミュレーション方法。
IPC (2件)：
G06F 19/00 110
, G06F 17/13
G06F 19/00 110
, G06F 17/13
