特許

J-GLOBAL ID：200903029514462406

薄膜形成装置及び薄膜形成方法

発明者： 信宮 利昭
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 勝 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-316395
公開番号（公開出願番号）：特開2000-144392
出願日： 1998年11月06日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
要約：

【要約】【課題】 基板への薄膜形成の生産性の向上させる。【解決手段】 真空排気系11により内部を所定の真空度に保持可能な真空槽1内に、クラスタイオン化系24と、蒸気生成系25とを有する。蒸気生成系25は、ノズル3が形成され、かつ、バッファガス及び反応性ガスを流入させるガス流入系を有する放電チャンバ2を有する。放電チャンバ2内に載置されたターゲット4は、バッファガスによりスパッタされ、これにより放出されたターゲット4の原子は反応性ガスと反応後、ノズル3から放出されクラスタ5となる。クラスタ5はクラスタイオン化系24によりクラスタイオン6とされた後、加速電極17により加速され、真空槽1内に載置された基板13に射突される。このクラスタイオン6の射突により基板13上に薄膜が形成される。

請求項（抜粋）：

所定の真空度に保持される真空槽に、前記真空槽内に載置された基板の表面に蒸着されることで形成される薄膜となる蒸着物質の蒸気を生成する蒸気生成手段と、前記蒸気をイオン化させるイオン化手段とを有する薄膜形成装置において、前記蒸気生成手段は、バッファガスによりターゲットをスパッタすることで前記ターゲットの原子を放出させることを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (2件)：

C23C 14/32 ,  C23C 14/54

FI (2件)：

C23C 14/32 G ,  C23C 14/54 B

Fターム (8件)：

4K029CA04 ,  4K029CA13 ,  4K029DA02 ,  4K029DA04 ,  4K029DB03 ,  4K029DB11 ,  4K029DB18 ,  4K029DD03