特許

J-GLOBAL ID：200903029516883000

半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置

発明者： 片岡 豊▲隆▼
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-123310
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310459
出願日： 1993年04月27日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】 基板上の電極材料をドライエッチングによりエッチングする場合も、ブレークダウン等の欠陥の生じない半導体装置の製造方法、及び半導体装置の製造装置を提供する。【構成】 ?@基板上に電極材料を形成Iし、ドライエッチングIIによりパターニングした後に、必要に応じ酸化処理IIaを行い、更にN2 OやNH3 等の窒素化合物、またはHCl、Cl2 、トリクロロエタン等のハロゲン系化合物を含むガス雰囲気中において熱処理IIIを行う半導体装置の製造方法及び製造装置。

請求項（抜粋）：

基板上に電極材料を形成し、ドライエッチングによりパターニングした後に、窒素化合物またはハロゲン系化合物を含むガス雰囲気中において熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/784