半導体装置およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-251655
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106328
出願日： 1993年10月07日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】多層配線構造を有する半導体装置の電気特性などの長期信頼性を向上し、加えて工程の簡略化をできるようにすることを目的とする。【構成】層間膜を構成している樹脂膜5が、(HO)2(R2Si2O3 )nH2で示されるシリコーンラダーポリマーを有している塗布液を用いた一回の塗布で形成される。

請求項（抜粋）：

所定の配線パターンが形成された第1の配線層と、コンタクトホールを有し前記第1の配線層による凹凸を吸収するようにこの第1の配線層上に形成された層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に所定のパターンを有して形成された第2の配線層とを有し、この第2の配線層と前記第1の配線層とが前記層間膜の所定の位置に形成されたコンタクトホールを介して接続した半導体装置であって、前記層間絶縁層が平坦化膜から構成されており、この平坦化膜が、化学式(HO)2(R2Si2O3 )nH2 で示され、この化学式中のnがこの化合物の重量平均分子量が2000〜100000を得るに十分な整数であり、この化学式中の個々のRが水素原子,低級アルキル基またはフェニル基のいずれかであるシリコーンラダーポリマーのうち少なくとも1種類以上を含む樹脂物からなる硬化膜であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 K , H01L 21/90 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭56-049540
特開平3-006845
特開平4-063883

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