特許
J-GLOBAL ID：200903029517739450

光起電力素子

発明者：
寺川 朗

寺川 朗 について

, 
浅海 利夫

浅海 利夫 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-051174
公開番号（公開出願番号）：特開2006-237363
出願日： 2005年02月25日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：
【課題】 出力特性が向上された光起電力素子を提供することである。【解決手段】 n型単結晶シリコン基板11の主面の外周部の所定幅を除く領域にi型非晶質シリコン膜21およびn型非晶質シリコン膜22が形成されている。n型単結晶シリコン基板11の主面上でi型非晶質シリコン膜21およびn型非晶質シリコン膜22を覆うように表面電極12が形成されている。n型単結晶シリコン基板11の裏面の全域にi型非晶質シリコン膜23およびp型非晶質シリコン膜24が形成されている。p型非晶質シリコン膜24上の外周部の所定幅を除く領域に裏面電極16が形成される。表面電極12側が主たる受光面となる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
一導電型の結晶系半導体の第1の面上に、 実質的に真性の第1の非晶質系半導体膜と、 前記結晶系半導体と同じまたは逆の導電型の第2の非晶質系半導体膜と、 透光性の第1の電極層とを順に備え、 前記第2の非晶質系半導体膜は、前記結晶系半導体または第1の非晶質系半導体膜上の所定幅の外周部を除く第1の領域に形成され、 前記第1の電極層は、前記第2の非晶質系半導体膜上から前記結晶系半導体または前記第1の非晶質系半導体膜上の前記外周部に至る領域を覆うように形成されることを特徴とする光起電力素子。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (2件)：
H01L31/04 A ,  H01L31/04 B
Fターム (25件)：
5F051AA02 ,  5F051AA05 ,  5F051BA11 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA15 ,  5F051CA40 ,  5F051CB27 ,  5F051DA04 ,  5F051DA07 ,  5F051DA20 ,  5F051EA10 ,  5F051EA11 ,  5F051EA14 ,  5F051EA15 ,  5F051FA04 ,  5F051FA10 ,  5F051FA14 ,  5F051FA15 ,  5F051FA16 ,  5F051FA17 ,  5F051FA25 ,  5F051GA04 ,  5F051KA09
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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