特許
J-GLOBAL ID：200903029523082918
結晶引き上げ法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-215468
公開番号（公開出願番号）：特開平6-107492
出願日： 1991年08月27日
公開日（公表日）： 1994年04月19日
要約：
【要約】【目的】 チョクラルスキー結晶引き上げ装置における一酸化シリコンの発生を抑制し、酸素と不純物分布を制御するための方法と装置を得る。【構成】 チョクラルスキー結晶引き上げ装置において、シリコン-石英界面両端間にバイアス電圧が印加され、連続的に監視、および調節される。印加されたバイアス電圧は一酸化シリコンの生成を低減する反応を励起する。印加された電圧はシリコン溶融の攪拌効果を変化させるように変えられる。一酸化シリコンの抑制はシリコン結晶中の酸素の可能なレンジを増大させ、更に炭素源である一酸化炭素の発生をも抑制する。
請求項（抜粋）：
粒状シリコンが石英容器中で溶融するようになったチョクラルスキー(Czochralski)シリコン結晶引き上げ装置において一酸化シリコンを低減するための方法であって、溶融したシリコンを安定な温度に到達させること、溶融シリコン中へシード(種)結晶を降ろし、シリコン結晶を成長させること、石英-溶融シリコン界面両端間へ結晶成長中にバイアス電圧を印加すること、の工程を含む方法。
IPC (4件)：
C30B 15/00
, C30B 15/20
, C30B 29/06 502
, C30B 30/02
