特許

J-GLOBAL ID：200903029523170043

水性フッ化アンモニウムおよびアミンを用いた、半導体ウエハ洗浄組成物および方法

発明者： ウォイトクザック,ウイリアム エイ. ,  グアン,ジョージ ,  ファイン,ダニエル エヌ. ,  ファイン,ステファン エイ.
出願人/特許権者： アドバンスド ケミカル システムズ インターナショナル,インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-531118
公開番号（公開出願番号）：特表2001-508239
出願日： 1998年01月08日
公開日（公表日）： 2001年06月19日
要約：

【要約】以下に示した重量パーセント範囲で、以下の成分を含有する、プラズマアッシング後の半導体製造で使用する半導体ウエハ洗浄処方物:フッ化アンモニウムおよび/またはそれらの誘導体1〜21%;有機アミンまたは2種のアミンの混合物20〜55%;水23〜50%;金属キレート化剤またはキレート化剤の混合物0〜21%。

請求項（抜粋）：

プラズマアッシング後の半導体製造で使用する半導体ウエハ洗浄処方物であって、該処方物は、以下で示した重量パーセント範囲で、以下の成分を含有する: フッ化物源; 1〜21% 少なくとも1種の有機アミン; 20〜55% 水; 23〜50% 少なくとも1種の金属キレート化剤 0〜21%。

IPC (7件)：

H01L 21/304 647 ,  C11D 3/04 ,  C11D 3/20 ,  C11D 3/30 ,  C11D 3/32 ,  C11D 17/08 ,  H01L 21/3065

FI (7件)：

H01L 21/304 647 A ,  C11D 3/04 ,  C11D 3/20 ,  C11D 3/30 ,  C11D 3/32 ,  C11D 17/08 ,  H01L 21/302 H

引用特許：

審査官引用 (2件)

• マイクロエレクトロニクス基板洗浄用のpH調整された、非イオン性表面活性剤含有アルカリ性クリーナー組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-115235   出願人：ジェイティ-ベ-カ-インコ-ポレイテッド
• アルカリ性洗浄組成物及びそれを用いた基板の洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-110741   出願人：三菱化学株式会社