特許

J-GLOBAL ID：200903029527918247

基板処理装置

発明者： 岡 威憲 ,  上野 正昭 ,  島田 真一 ,  林田 晃
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-247092
公開番号（公開出願番号）：特開2007-066934
出願日： 2005年08月29日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：

【課題】降温速度を向上させる。 【解決手段】ウエハ1の処理室32を構成するプロセスチューブ31と、プロセスチューブ31の外側に同心円に設置された均熱チューブ33と、処理室32を加熱するヒータユニット50と、ウエハ1群を処理室32に搬出するボート30とを備えたアニール装置10において、プロセスチューブ31と均熱チューブ33との隙間34内にダクト70を設置する。ダクト70は断面形状が扁平な角管体で、かつ、直角に屈曲されたエルボ管体に形成し、垂直部である流出口側ダクト部75の上端に噴出口76を開設する。アニール後に、プロセスチューブ31と均熱チューブ33との隙間34内に窒素ガス90をダクト70の噴出口76から噴出することにより、プロセスチューブ31と均熱チューブ33とを効果的に冷却できるので、ウエハ群の降温速度を早めることができる。 【選択図】図5

請求項（抜粋）：

基板を処理する処理室と、 前記基板を加熱するヒータユニットと、 前記処理室と前記ヒータユニットとの間に配置される冷却媒体導入手段とを備えている基板処理装置であって、 前記冷却媒体導入手段は、前記処理室内の前記基板の主面に対し鉛直上方向に向かって延びるように配置され、前記冷却媒体導入手段の前記基板の主面と水平位置に位置する断面形状は前記基板中心方向に比べ、前記基板周方向のサイズが大きくなるように形成されていることを特徴とする基板処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/22

FI (5件)：

H01L21/324 W ,  H01L21/26 J ,  H01L21/31 E ,  C23C16/44 B ,  H01L21/22 511A

Fターム (11件)：

4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030KA09 ,  4K030KA26 ,  4K030LA15 ,  5F045AA20 ,  5F045BB08 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EJ04

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-297352   出願人：株式会社日立国際電気
• 縦型炉
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-016927   出願人：国際電気株式会社