特許

J-GLOBAL ID：200903029535541772

MISトランジスタとその形成方法

発明者： 新野 多恵子
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-357913
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182981
出願日： 1991年12月26日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】 MISトランジスタにおける絶縁膜側壁部に選択エピタキシャル成長を行うに際し、絶縁膜側壁部分に密着し、ファセットが無く、平坦なソース・ドレインせり上げ層を形成する。【構成】 ゲートポリシリコンの周囲に配した絶縁膜12の形状を、ひさし形もしくは逆テーパー形にソース・ドレイン側に突出させ、ソース・ドレインを選択エピタキシャル成長すると、絶縁膜側壁部分に密着して成長し、平坦なソース・ドレインの成長層14が形成される。【効果】 この構造を用いると、ファセットの無い、平坦な、絶縁膜側壁部に密着したソース・ドレイン層が得られる。

請求項（抜粋）：

ゲート電極側壁に絶縁膜を有し、この絶縁膜に接してソース・ドレインせり上げ層を有するMISトランジスタであって、前記絶縁膜は、ひさし状にソース・ドレイン側に突出しているものであることを特徴とするMISトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/20

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 301 S