特許

J-GLOBAL ID：200903029536622253

半導体装置

発明者： 道林 亜希子 ,  川村 哲也 ,  吉岡 達男
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-320281
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181164
出願日： 1994年12月22日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】 ボンディングパッドの膜剥がれによる破損を防止し、ボンディング時にボンディング不良が発生しにくい耐ワイヤボンディング強度を高める。【構成】 半導体素子が形成されたガラス基板11上には絶縁膜12、アルミニウムまたはアルミニウム合金から成る配線部13およびボンディングパッド14が所定の領域に形成されている。絶縁膜12上部、配線部13上部、ボンディングパッド14上の周辺部および周辺部以外の一部は保護膜15で覆われている。ボンディングパッド14上の周辺部以外の一部が保護膜15により上から押さえられるので、ボンディングパッド14と絶縁膜12との密着性が良好になり、ボンディングパッド14の膜剥がれによる破損を防止することができる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された半導体素子と、前記半導体素子を前記基板の外部に電気的に接続するために前記基板上に形成された少なくとも1個のボンディングパッドとを有する半導体装置であって、前記ボンディングパッド上の少なくとも周辺部以外の一部に保護膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。