特許
J-GLOBAL ID：200903029537444987
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-028036
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226668
出願日： 1992年02月14日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 第1,第2のレジストパターン成形部の形成後におけるデポジット残滓物の孤立した存在を解消する。【構成】 第1のレジストパターン12,13成形部領域と第2のパターン19,20成形部領域との境界相当部を含み、第2のパターン成形部領域側に向かって補助パターン領域7を設定し、第1回目のRIE法による第1のパターン12,13成形部のエッチング整形で生ずる側壁デポジット付着膜14を、第2回目のRIE法による第2のパターン19,20成形部のエッチング整形時に、補助パターン領域7に対応して形成される残置パターン部23に付着させたまゝの状態で残すようにする。
請求項（抜粋）：
少なくとも1層を共通にするパターンを複数回のリアクティブ・イオン・エッチング法により選択的にエッチング形成する半導体装置の製造方法において、前記リアクティブ・イオン・エッチングの際に、パターン形成領域とエッチングされない領域との境界を含みこの境界からエッチングされない領域側へ補助パターンを設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 21/302
