多接合太陽電池

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-210618
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064386
出願日： 1995年08月18日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】分光感度特性が改善され、高変換効率の直列接続型の太陽電池の構造を提供する。【解決手段】 Inx Ga1-x Pからなるトップセル1とGaAsからなるボトムセル2とをIny Ga1-y Pトンネル接合層33で直列接続したタンデムセル型太陽電池において、トンネル接合層を構成しているIny Ga1-y Pの格子定数を、このトンネル接合層を挟み込んでいる両側のInx Ga1-x Pの格子定数よりも小さくなるように組成xおよびyを選定しトンネル接合層中の不純物であるZnのしみ出しを防止し、高温熱工程の後においても所望の不純物プロファイルを達成し、良好なトンネル接合特性を得る。Iny Ga1-y Pトンネル接合を用いることによって分光感度特性も改善される。

請求項（抜粋）：

GaAsボトムセルと、Inx Ga1-x Pトップセルと,該ボトムセルとトップセルとを互いに接続するIny Ga1-y Pトンネル接合層とから構成される多接合太陽電池であって、該トンネル接合層のIny Ga1-y P層の格子定数を該トップセルのInx Ga1-x P層の格子定数よりも小さくしたことを特徴とする多接合太陽電池。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭59-135775
特開昭56-112764

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