特許

J-GLOBAL ID：200903029545452816

比誘電率が高い物質として特に使用される多層構造体

発明者： ライオネル・ジラルディ
出願人/特許権者： メムスカップ
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-378529
公開番号（公開出願番号）：特開2003-308735
出願日： 2002年12月26日
公開日（公表日）： 2003年10月31日
要約：

【要約】【課題】 様々な容量性構造体内において使用可能であり、高い比誘電率の値と共に、高電圧耐性及び低レベルの漏れ電流を有する物質を提供する。【解決手段】 各々が500Å未満の厚さを有する複数の別個の層を備え、前記層の少なくとも1つが二酸化ハフニウム(HfO2)、二酸化ジルコニウム(ZrO2)、及びアルミナ(Al2O3)に基づくことを特徴とする多層構造体を構成する。

請求項（抜粋）：

比誘電率が高い物質として特に使用される多層構造体であって、各々が500Å未満の厚さを有する複数の別個の層を備え、前記層の少なくとも1つが二酸化ハフニウム(HfO2)、二酸化ジルコニウム(ZrO2)、及びアルミナ(Al2O3)に基づくことを特徴とする多層構造体。

IPC (12件)：

H01B 3/12 309 ,  H01B 3/12 337 ,  C01G 27/00 ,  C23C 14/08 ,  H01G 4/20 ZNM ,  H01G 4/33 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/78

FI (10件)：

H01B 3/12 309 ,  H01B 3/12 337 ,  C01G 27/00 ,  C23C 14/08 N ,  H01G 4/20 ZNM ,  H01L 21/316 X ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (58件)：

4G048AA03 ,  4G048AB01 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4K029BA43 ,  4K029BB02 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029EA01 ,  5E082AB01 ,  5E082BB05 ,  5E082BB07 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082FF05 ,  5E082FF15 ,  5E082FG26 ,  5E082FG27 ,  5E082FG42 ,  5E082LL02 ,  5E082MM22 ,  5E082MM24 ,  5E082PP03 ,  5E082PP09 ,  5F038AC16 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BD02 ,  5F058BD05 ,  5F058BF11 ,  5F058BJ04 ,  5F058BJ10 ,  5F083AD11 ,  5F083AD60 ,  5F083GA06 ,  5F083GA24 ,  5F083JA03 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR22 ,  5F140AA19 ,  5F140AA24 ,  5F140BD02 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BE09 ,  5G303AA01 ,  5G303AB02 ,  5G303AB06 ,  5G303BA06 ,  5G303CA01 ,  5G303CB01 ,  5G303CB39 ,  5G303CB40