特許

J-GLOBAL ID：200903029545951685

半導体ウエハ熱処理装置のウエハ支持装置及び半導体ウエハ熱処理装置

発明者： 平沢 茂樹 ,  鳥居 卓爾 ,  小松 利広 ,  本間 和男 ,  酒井 昭彦 ,  高垣 哲也 ,  内野 敏幸
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-259104
公開番号（公開出願番号）：特開平9-120948
出願日： 1988年04月08日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：

【要約】【目的】 高温炉にてウエハ3を熱処理する際に、ウエハ面内を均一温度で熱処理し、結晶欠陥発生を防止でき、それでいて加熱部10に支柱2を出し入れしても耐久性があって該支柱2が破損するおそれのないウエハ支持装置を提供する。【構成】 半導体ウエハ3を支持する支持部5と、一端側に前記支持部5を有する支柱2とを備えた半導体ウエハ熱処理装置のウエハ支持装置において、該ウエハ支持装置は石英ガラス、ポリシリコン又はシリコンカーバイドにて形成され、前記支柱2は中空状に形成されていると共に熱処理装置の加熱部10に挿入されない部分に該支柱2の内外空間を連通する連通穴9が設けられている。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハを支持する支持部と、一端側に前記支持部を有する支柱とを備えた半導体ウエハ熱処理装置のウエハ支持装置において、該ウエハ支持装置は石英ガラス、ポリシリコン又はシリコンカーバイドにて形成され、前記支柱は中空状に形成されていると共に熱処理装置の加熱部に挿入されない部分に該支柱の内外空間を連通する連通部が設けられていることを特徴とする半導体ウエハ熱処理装置のウエハ支持装置。

IPC (4件)：

H01L 21/22 511 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/324

FI (4件)：

H01L 21/22 511 G ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324 D ,  H01L 21/26 L

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭56-167324
  
• 特開昭55-113321