特許
J-GLOBAL ID：200903029554550073
半導体装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-009450
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224359
出願日： 1993年01月22日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】【目的】本発明は、インナリードの先端とパッドとの接続を確実するとともにパッドに対する損傷を防止する。【構成】インナリード(11)を互いに熱膨張率の異なる各金属材、例えば42合金(12)及びCu合金(13)により2層で、かつパッド(4) 側に熱膨脹率の小さい42合金(12)を配置して形成したので、インナリード(11)に対して半導体チップ(2)を両面テープ(6) を介在させて熱圧着して仮止めする際、インナリード(11)は熱膨張率の大きいCu合金(13)の伸びが多くなり、熱膨脹率の小さい42合金(12)側に撓む。この撓みによりインナリード(11)の先端は半導体チップ(2) のパッド(4) に接触する。
請求項（抜粋）：
電極を有する半導体チップとリードフレームのインナリードとの間に両面接着テープを介在させて熱圧着により仮止めし、かつ前記半導体チップの電極と前記インナリード先端とをめっきにより接続して成る半導体装置において、前記リードフレームの少なくとも前記インナリード部分を、互いに熱膨張率の異なる少なくとも2種類の金属材を積層し、かつこのうち熱膨脹率の小さい前記金属材を前記電極側に配置して形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/50
, H01L 21/60 321
