特許

J-GLOBAL ID：200903029557540087

積層セラミック電子部品およびその製造方法

発明者： 大槻 健彦 ,  西井 基
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 小柴 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-127064
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324730
出願日： 2001年04月25日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：

【要約】【課題】 誘電体セラミックグリーン層と磁性体セラミックグリーン層とを、中間層を介在させずに積層して焼成しても、焼結後において、誘電体セラミック層と磁性体セラミック層との間での構成成分の相互拡散による特性変動を抑制でき、かつこれらの間で良好な接合状態が得られるようにする。【解決手段】 ガラス成分を含有させることによって、誘電体セラミックグリーン層5aの焼結開始温度を、磁性体セラミックグリーン層6aに比べて、6°C以上かつ20°C以下の範囲でより高くなるようし、焼成工程で、磁性体セラミックグリーン層6aの焼結を先に始め、ガラス成分の磁性体セラミックグリーン層6aへの拡散を抑制することによって、誘電体セラミックグリーン層5aからのガラス成分を誘電体セラミックグリーン層5aと磁性体セラミックグリーン層6aとの間の界面に多く留まらせ、このガラス成分を接合材として作用させる。

請求項（抜粋）：

互いに異なる材料組成を有する少なくとも第1および第2のセラミックグリーン層を、前記第1および第2のセラミックグリーン層が互いに直接接した状態で、積層した積層構造を有する生の積層体を作製する積層体作製工程と、前記生の積層体を焼成する焼成工程とを備える、積層セラミック電子部品の製造方法であって、前記第1のセラミックグリーン層は、前記第2のセラミックグリーン層に比べて、前記焼成工程における焼結開始温度が6°C以上かつ20°C以下の範囲でより高くなる材料組成とされる、積層セラミック電子部品の製造方法。

IPC (8件)：

H01G 4/40 ,  B32B 18/00 ,  C04B 35/00 ,  C04B 35/30 ,  H01F 17/00 ,  H01F 27/00 ,  H01F 41/04 ,  H01G 4/12 358

FI (8件)：

B32B 18/00 A ,  C04B 35/30 C ,  H01F 17/00 D ,  H01F 41/04 C ,  H01G 4/12 358 ,  H01G 4/40 321 A ,  H01F 15/00 D ,  C04B 35/00 H

Fターム (64件)：

4F100AA17A ,  4F100AA17B ,  4F100AA18A ,  4F100AA21A ,  4F100AA23B ,  4F100AA24B ,  4F100AA25B ,  4F100AD00A ,  4F100AD00B ,  4F100AG00A ,  4F100BA02 ,  4F100BA07 ,  4F100GB41 ,  4F100JA20A ,  4F100JG05A ,  4F100JG06B ,  4F100JJ10A ,  4F100JL02 ,  4F100JL03 ,  4F100JL11 ,  4F100YY00A ,  4G018AA01 ,  4G018AA23 ,  4G018AA24 ,  4G018AA25 ,  4G018AC06 ,  4G018AC12 ,  4G018AC16 ,  4G030AA01 ,  4G030AA05 ,  4G030AA08 ,  4G030AA10 ,  4G030AA16 ,  4G030AA17 ,  4G030AA27 ,  4G030AA29 ,  4G030AA31 ,  4G030AA32 ,  4G030AA37 ,  4G030AA43 ,  4G030BA01 ,  4G030BA09 ,  4G030CA03 ,  4G030CA08 ,  4G030GA19 ,  4G030GA23 ,  5E001AB03 ,  5E001AH01 ,  5E001AH07 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5E062DD04 ,  5E070AA05 ,  5E070AB02 ,  5E070BA12 ,  5E070CB02 ,  5E070CB13 ,  5E082AA01 ,  5E082AB03 ,  5E082DD07 ,  5E082EE23 ,  5E082FF05 ,  5E082FG26 ,  5E082FG46