特許

J-GLOBAL ID：200903029558055280

固有の銅イオン・マイグレーション・バリアを有する低誘電率誘電体材料

発明者： ステファン・アラン・コーエン ,  クラディウス・フェーガー ,  ジェフリー・カーチス・ヘドリック ,  ジェーン・マーガレット・ショー
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-236834
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085419
出願日： 2000年08月04日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】 Cu領域を含む半導体構造中のCuイオン・マイグレーションを阻止する層間誘電体を提供すること。【解決手段】 本発明の層間誘電体14は、誘電率が3.0以下の誘電材料と、Cuイオンと結合が大いに可能であり、しかもなお誘電材料に可溶な添加物とを含む。低誘電率誘電体14中に添加物が存在するため、SiO2やSi3N4などの従来の無機バリア材料を省略することができる。

請求項（抜粋）：

Cuイオン・マイグレーションを低減または除去することが可能な層間誘電体であって、誘電率が3.0以下の誘電材料と添加物を含み、前記添加物がCuイオンと結合することが可能であり、前記誘電材料に可溶であり、前記誘電材料中に実質的に均一に分布する層間誘電体。

IPC (2件)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/314

FI (3件)：

H01L 21/312 A ,  H01L 21/312 B ,  H01L 21/314 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 銅の拡散を抑制した構造の半導体装置とその製造方法、及び拡散した銅の検出方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-035298   出願人：株式会社東芝