III族窒化物系化合物半導体の製造方法、及びそれに基づくIII族窒化物系化合物半導体素子

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-083490
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280314
出願日： 2001年03月22日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】工程切換を減らした、貫通転位の少ないIII族窒化物系化合物半導体。【解決手段】GaN層31上面の、第1のマスク41mも第2のマスク42mも形成されていない部分からGaN層32が縦方向成長する。その厚みが第1のマスク41mの厚みを越えると、GaN層32が横方向し、第1のマスク41mを覆い始める。第1のマスク41m上方は第2のマスク42mが形成されていないので縦方向成長が生じる。一方、GaN層31上面の、第1のマスク41mが形成されていない部分は上方に第2のマスク42mが庇のように形成されているのでそこで成長が止まり、縦方向成長と共に伝播してきた貫通転位はここで止まる。第1のマスク41m上方、第2のマスク42mが形成されていない部分を貫くようにGaN層32が縦方向成長し、その高さが第2のマスク42mの上端を越えると、GaN層32が再び横方向成長し、第2のマスク42mを覆う。第2のマスク42mの上方全てをGaN層32が覆うと、縦方向エピタキシャル成長が続く。

請求項（抜粋）：

横方向エピタキシャル成長を用いて、貫通転位の抑制されたIII族窒化物系化合物半導体層を形成するIII族窒化物系化合物半導体の製造方法において、基底となる層に、前記III族窒化物系化合物半導体がエピタキシャル成長しない第1のマスクを点状、ストライプ状、又は格子状等の島状に形成する第1のマスク形成工程と、前記III族窒化物系化合物半導体をエピタキシャル成長させるための成長空間を確保するための化合物を形成する成長空間確保工程と、前記III族窒化物系化合物半導体がエピタキシャル成長しない第2のマスク形成工程と、前記成長空間確保工程により形成された前記化合物を除く工程と、前記III族窒化物系化合物半導体を、前記成長空間を通して縦及び横方向エピタキシャル成長させるエピタキシャル成長工程とから成り、前記第1のマスクと前記第2のマスクにより、前記基底となる層が垂直上方からはほぼ全面に覆われているよう、それらマスクを形成することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/323 610

FI (3件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 5/323 610

Fターム (28件)：

5F041AA03 , 5F041AA40 , 5F041AA44 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA67 , 5F045DB02 , 5F045DB04 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073DA21 , 5F073EA28

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