特許

J-GLOBAL ID：200903029559933957

半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者： 伴 雄三郎 ,  萬濃 正也 ,  大仲 清司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-044411
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243671
出願日： 1992年03月02日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 p型AlGaInPクラッド層のp型不純物の活性化率を向上させレーザ素子の直列抵抗を低減して、その結果、信頼性が高いAlGaInP/GaAs系可視光半導体レーザ装置を提供することを目的としている。【構成】 横モード制御型AlGaInP/GaAs系可視光半導体レーザにおいて、電流ブロッキング層をp型GaAs層13/n型GaAs層9の2層構造とする。また、その構造の作製工程において、選択埋め込み成長の際、最初p型GaAs層13を成長し、(1)そして続いてその状態で、(2)あるいは続いてn型GaAs層9を成長した後、(3)あるいは、続いてn型GaAs層9を成長し、選択マスク;SiO2層を除去し、p型GaAs電極コンタクト層10を成長した後、約600°Cで1時間の熱処理を行う。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上にn型AlGaInPクラッド層/AlGaInPあるいはGaInP活性層/p型AlGaInPクラッド層からなるダブルヘテロ構造、さらに前記ダブルヘテロ構造の上部にGaInPエッチング阻止層およびp型AlGaInP層/p型GaInP層からなるリッジ部、さらに前記GaInPエッチング阻止層の上部およびリッジ部の側面上に電流ブロッキング層、さらに前記電流ブロッキング層および前記リッジ部上にp型GaAs電極コンタクト層が形成され、前記GaInPエッチング阻止層およびリッジ部の側面上に形成された電流ブロッキング層のp型AlGaInPクラッド層側がp型GaAs層、p型GaAs電極コンタクト層側がn型GaAs層であることを特徴とするAlGaInP/GaAs系半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-279484