特許

J-GLOBAL ID：200903029560251584

パターン形成方法

発明者： 福田 宏
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-192150
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045593
出願日： 1993年08月03日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【構成】レジスト膜にパターン状のエネルギ線を照射した後、薄膜を現像しレジストパターンを形成し、その後、レジストパターン中にπ電子を含む芳香族化合物等、ドライエッチング耐性を有する分子を拡散させる。【効果】光学的な解像度を向上するためにエキシマレーザ等の短波長領域の光を用いた場合等にも、ドライエッチング耐性に優れ、かつ良好な断面形状のレジストパターンが得られる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された感光性薄膜上にパターン状のエネルギ線を照射した後、上記薄膜を現像して薄膜パターンを形成し、その後、上記薄膜パターン中にドライエッチング耐性を有する分子を拡散させ、上記薄膜パターンをマスクとして上記基板をドライエッチングすることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 570 ,  H01L 21/88 B