特許

J-GLOBAL ID：200903029562492341

半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  中嶋 節男
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-232387
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150903
出願日： 1999年08月19日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、活性層、特にチャネル形成領域を構成する領域と絶縁膜との界面を良好なものとすることにより、TFTの特性を向上させるとともに均一な特性を有する半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法を提供するものである。【解決手段】 上記目的を解決するため、本発明は、基板100または下地膜101上にゲート配線102を形成し、ゲート絶縁膜103と半導体膜104と絶縁膜105を大気にふれさせることなく積層形成し、次いで絶縁膜105を介して赤外光または紫外光(レーザ光)の照射による半導体膜の結晶化を行った後、パターニングを用い、LDD構造を備えた半導体装置を作製する。

請求項（抜粋）：

基板上にゲート配線と、前記ゲート配線に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に接する活性層と、前記活性層上に接する保護膜とを有し、前記保護膜は、前記活性層を構成するソース領域、ドレイン領域、及び前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に形成されたチャネル形成領域の少なくとも一部を覆うことを特徴とする半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1365 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 29/78 619 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 618 G ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 B