特許

J-GLOBAL ID：200903029564702238

結晶性半導体薄膜の形成方法

発明者： 前川 真司 ,  中村 好伸 ,  梅中 靖之
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-122098
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308008
出願日： 2000年04月24日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】 ニッケルを用いて結晶化したシリコン薄膜は、大傾角粒界が少ないものの、結晶欠陥密度が比較的多いため、単結晶並みの高い移動度が達成されていなかった。【解決手段】 遷移金属シリサイドを用いて非晶質シリコン薄膜を結晶化させる方法において、非晶質シリコン薄膜の一部をシリコン基板に直接接触させるシード法や、より高温のアニール温度により高速に到達させる高温アニール法により、{100}面に方位制御する。

請求項（抜粋）：

Ni,Coを非晶質シリコン薄膜に添加し,熱処理をすることによりシリコン薄膜を結晶化させる方法において、{100}面を有する領域を素子の活性領域として利用することを特徴とする結晶性半導体薄膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (27件)：

5F052AA02 ,  5F052AA03 ,  5F052AA11 ,  5F052AA24 ,  5F052CA04 ,  5F052DA02 ,  5F052FA01 ,  5F052FA06 ,  5F052FA21 ,  5F052FA24 ,  5F052GB05 ,  5F052GB06 ,  5F052HA06 ,  5F052JA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB07 ,  5F110BB11 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG42 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP34