特許
J-GLOBAL ID：200903029571658007
巨大磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド、薄膜磁気メモリ、並びに薄膜磁気センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-074396
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280636
出願日： 2001年03月15日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】 巨大磁気抵抗効果素子内の電流密度のばらつきを抑制して、素子を有効に利用することができ、かつ信頼性や長寿命を有する巨大磁気抵抗効果素子、及びこの巨大磁気抵抗効果素子を備えて信頼性の高い磁気抵抗効果型ヘッド、薄膜磁気メモリ、並びに薄膜磁気センサを提供する。【解決手段】 強磁性膜と非磁性膜と反強磁性膜とを有する積層膜から成り、上部電極及び下部電極によりこの積層膜2の膜面に垂直な方向に電流が流され、積層膜2上にこの積層膜2より充分比抵抗の小さい金属膜21が形成され、積層膜2の幅方向の両外側に硬磁性膜3が配置され、この硬磁性膜3上に金属膜21上にも渡って絶縁層4が形成され、両側の絶縁層4間の開口5を通じて上部電極と金属膜21とが電気的に接続された巨大磁気抵抗効果素子2を構成する。また、上記巨大磁気抵抗効果素子2を備えて、磁気抵抗効果型ヘッド1、薄膜磁気メモリ、薄膜磁気センサを構成する。
請求項（抜粋）：
強磁性膜と非磁性膜と反強磁性膜とを有する積層膜から成り、上部電極及び下部電極により該積層膜の膜面に垂直な方向に電流が流される巨大磁気抵抗効果素子であって、上記積層膜上に、該積層膜より充分比抵抗の小さい金属膜が形成され、上記積層膜の幅方向の両外側に硬磁性膜が配置され、上記硬磁性膜上に、上記金属膜上にも渡って絶縁層が形成され、両側の上記絶縁層間の開口を通じて、上記上部電極と上記金属膜とが電気的に接続されたことを特徴とする巨大磁気抵抗効果素子。
IPC (5件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 41/32
, H01L 27/105
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 41/32
, G01R 33/06 R
, H01L 27/10 447
2G017AA01
, 2G017AD55
, 2G017AD65
, 5D034BA03
, 5D034BA05
, 5D034BA08
, 5D034BA12
, 5D034CA08
, 5E049AC05
, 5E049BA06
, 5E049BA12
, 5E049CB01
, 5F083FZ10
