特許

J-GLOBAL ID：200903029575935790

窒化物系化合物半導体結晶成長方法

発明者： 高野 和人
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 川澄 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-331167
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165502
出願日： 2002年11月14日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】Si基板上に成長した窒化物半導体結晶薄膜にかかる歪みを緩和し、基板の反りをなくす窒化物系化合物半導体結晶成長方法を得る。【解決手段】Si基板上にIII-V族窒化物半導体薄膜結晶を成長するに際し、Si基板表面にSiO2薄膜を事前に形成し、さらにその上にAlN薄膜を堆積させた後、高温アニールを加え、その薄膜上に必要な窒化物半導体薄膜を成長することを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

Si基板上にIII-V族窒化物半導体薄膜結晶を成長するに際し、 Si基板表面にSiO2薄膜を事前に形成し、さらにその上にAlN薄膜を堆積させた後、高温アニールを加え、その薄膜上に必要な窒化物半導体薄膜を成長することを特徴とする窒化物系化合物半導体結晶成長方法。

IPC (3件)：

H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

FI (3件)：

H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 C

Fターム (15件)：

5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB32 ,  5F045AF03 ,  5F045BB11 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045DA52 ,  5F045HA06 ,  5F052JA07 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05