特許

J-GLOBAL ID：200903029581434930

半導体装置及びアクティブマトリクス基板およびそれらの製造方法

発明者： 福元 嘉彦
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-241939
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148329
出願日： 1996年09月12日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】 ディッシングの量を小さくした半導体装置及びアクティブマトリクス基板とそれらの製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体領域(3)上に設けられた絶縁層(7)内に、電極もしくは配線として機能する導電性材料からなる領域(12)を配し、前記半導体領域と前記導電性材料からなる領域とを電気的に接続して構成した半導体装置の製造方法において、前記導電性材料からなる領域内に該導電性材料とは異なる領域(8)を配し、前記導電性材料からなる領域を研磨する。

請求項（抜粋）：

半導体領域上に設けられた絶縁層内に、電極もしくは配線として機能する導電性材料からなる領域を配し、前記半導体領域と前記導電性材料からなる領域とを電気的に接続して構成した半導体装置の製造方法において、前記導電性材料からなる領域内に該導電性材料と異なる領域を配し、前記導電性材料からなる領域を研磨することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 27/12 ,  G02F 1/136 500

FI (5件)：

H01L 21/88 B ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/304 321 S ,  H01L 27/12 C ,  G02F 1/136 500