特許
J-GLOBAL ID：200903029583059290
半導体加速度センサおよびその試験方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-133408
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342007
出願日： 1993年06月03日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：
【要約】【構成】 半導体加速度センサはシリコン基体から一体加工され、おもり、支持体部およびおもりと支持体部とを連結する梁を有し、さらに梁の上面に半導体ストレインゲージが形成されているシリコン検出体と、シリコン検出体の上部に設けられ、おもりが変位可能なように窪みを有する上部ガラスと、シリコン検出体の下部に設けられ、おもりが変位可能なように窪みを有する下部ガラスとを具えている。シリコン検出体の支持体部が上部ガラスおよび下部ガラスとそれぞれ静電接合されており、下部ガラスの窪みには導体膜が形成されており、下部ガラスには導体膜から外部配線を取り出すための開口部が設けられている。【効果】 キャリブレーションを振動試験および設備が無くても、簡単に実現することが可能で、製造コストを下げることができる。
請求項（抜粋）：
シリコン基体から一体加工され、おもり、支持体部および該おもりと支持体部とを連結する梁を有し、さらに該梁の上面に半導体ストレインゲージが形成されているシリコン検出体と、該シリコン検出体の上部に設けられ、前記おもりが変位可能なように窪みを有する上部ガラスと、前記シリコン検出体の下部に設けられ、前記おもりが変位可能なように窪みを有する下部ガラスとを具え、前記シリコン検出体の支持体部が前記上部ガラスおよび前記下部ガラスとそれぞれ静電接合されており、前記下部ガラスの窪みに導体膜が形成されており、該下部ガラスには前記導体膜から外部配線を取り出すための開口部が設けられていることを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2件)：
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