研磨粒子および研磨方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-320714
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008218
出願日： 1994年12月22日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の製造プロセス中に発生する層間絶縁膜や配線層等の段差の平坦化に用いる、研磨速度と低損傷性にすぐれた研磨粒子および研磨方法を提供する。【構成】第1の層間絶縁膜1上の配線層2により形成された、第2の層間絶縁膜3の段差を、化学的機械研磨方法により平坦化する。このとき用いるスラリは、第1の材料からなる粒子を、硬度の大きい第2の材料で被覆した構造の研磨粒子を含むものである。【効果】研磨初期から中期にかけては研磨速度が大きく、研磨後期には低ダメージの研磨が行える。このため、スループットと高品質の両立した平坦化研磨が達成できる。

請求項（抜粋）：

第1の材料からなる粒子を、第2の材料で被覆した構造を有する研磨粒子。

IPC (3件)：

H01L 21/304 321 , H01L 21/304 , H01L 21/3205

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