特許

J-GLOBAL ID：200903029588249607

半導体装置及びその製造方法

発明者： 前嶋 信義 ,  遠藤 恒雄 ,  栗原 保敏 ,  岡田 亘右 ,  中嶋 浩一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東部セミコンダクタ株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-218345
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064248
出願日： 1995年08月28日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【目的】 熱放散性と絶縁性に優れた半導体装置、すなわち、放熱板との絶縁層を発熱素子から離れた位置に設け、かつ、当該絶縁層を薄くすることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 金属基板1と、該金属基板1の表面が露出している一方の主面11に少なくとも1つの半導体チップ30が導電的に固着され、前記主面11の当該半導体チップ30が固着されていない領域に第1の絶縁樹脂層13が設けられ、前記金属基板1の一方の主面11に対向する他方の主面15に第2絶縁樹脂層16が設けられ、前記半導体チップ1とリード36a、36b、36cとが電気的に接続され、前記金属基板1の半導体チップ30の固定部側の主面11及び側面部がモールド樹脂35で封止されてなる半導体装置である。

請求項（抜粋）：

金属基板と、該金属基板の表面が露出している一方の主面に少なくとも1つの半導体チップが導電的に固着され、前記主面の当該半導体チップが固着されていない領域に第1の絶縁樹脂層が設けられ、前記金属基板の一方の主面に対向する他方の主面に第2絶縁樹脂層が設けられ、前記半導体チップとリードとが電気的に接続されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/34 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/36 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18

FI (4件)：

H01L 23/34 A ,  H01L 23/28 B ,  H01L 23/36 D ,  H01L 25/04 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-120035
  
• 特開平2-278753