特許

J-GLOBAL ID：200903029588934369

集束イオンビーム加工方法及びその加工装置

発明者： 間所 祐一 ,  梅村 馨 ,  川浪 義実
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-035067
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252233
出願日： 1993年02月24日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】接続孔埋込みの断線,高抵抗化の防止。断面加工用表面平坦化のための凹凸部の完全埋込み。【構成】イオンビーム加工により穴形状を変え、あるいは走査条件を変え最適化することで穴の内面のガス吸着量を制御、一様性を実現する。【効果】接続孔埋込み,表面平坦化等の凹部埋込みプロセスの歩留まりを改善し、大規模集積回路の検査工程の迅速化,高精度化を実現する。

請求項（抜粋）：

集束イオンビーム誘起デポジションを用いた接続孔埋込み及び断面観察用試料表面平坦化において、凹部の側壁の少なくともその一部を、あらかじめイオンビーム加工により除去することを特徴とするイオンビーム加工方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  H01J 37/30 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/203