半導体集積回路装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-041570
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249688
出願日： 1994年03月11日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】トランジスタの閾値電圧を各素子ごとに容易に調整することができる論理回路を備えた半導体集積回路装置を提供する。【構成】半導体基板11上に第1の絶縁膜14を介してフローティングゲート15が形成され、該フローティングゲート15の上に第2の絶縁膜16を介してコントロールゲート17が形成され、前記フローティングゲート15の両側の前記半導体基板11の表層にソース/ドレイン領域層12,13が形成されてなるMOS型トランジスタが、論理回路内の全てのトランジスタに用いられ、かつ前記フローティングゲート15に注入される電荷の量が、各素子の閾値電圧に応じて異なる論理回路を有すること。

請求項（抜粋）：

半導体基板(11)上に第1の絶縁膜(14)を介してフローティングゲート(15)が形成され、該フローティングゲート(15)の上に第2の絶縁膜(16)を介してコントロールゲート(17)が形成され、前記フローティングゲート(15)の両側の前記半導体基板(11)の表層にソース/ドレイン領域層(12,13)が形成されてなるMIS型トランジスタが、論理回路内の全て又は一部のトランジスタに用いられ、かつ前記フローティングゲート(15)に注入される電荷の量が、各素子の閾値電圧に応じて調整された論理回路を有することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (7件)：

H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 21/263 , H01L 29/78 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/08 321 D , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 371

前のページに戻る