基板の化学機械研磨装置、半導体デバイス製造方法、および半導体デバイス

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-375813
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244222
出願日： 2000年12月11日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：

【要約】【課題】小径研磨パッドで大きい径の基板を化学機械研磨する際の得られる加工基板の平坦性の向上。【解決手段】金属膜またはデバイスを表面に有する基板を金属膜面または絶縁膜面を上向きにしてチャックに保持し、該基板に対して軸芯を鉛直方向に有するスピンドル軸に軸承された取付板に貼付された研磨パッド面を研磨剤を介して押圧し、該基板を保持するチャックと研磨パッドを摺動させつつ、かつ、該研磨パッドを基板上で水平方向に往復揺動して基板表面の金属膜または絶縁膜の少なくとも一部を除去するのに用いる化学機械研磨装置であって、前記チャックに保持された基板表面の延長水平面上には研磨パッドが基板上で揺動して基板外周よりはみ出した研磨パッド部分の表面を支えるガイド部材がチャックとは独立して設けられていることを特徴とする基板の化学機械研磨装置。

請求項（抜粋）：

基板の金属膜面または絶縁膜面を上向きにしてチャックに前記基板を保持し、前記基板表面に対して軸芯を鉛直方向に有するスピンドル軸に軸承された取付板に貼付された研磨パッド面を研磨剤を介して押圧し、前記基板を保持する前記チャックと前記研磨パッドを摺動させつつ、かつ、前記研磨パッドを前記基板上で水平方向に往復揺動して前記基板表面の前記金属膜または前記絶縁膜の少なくとも一部を除去するのに用いる化学機械研磨装置であって、前記チャックに保持された前記基板表面の延長水平面上には、前記研磨パッドが前記基板上で揺動して前記基板外周よりはみ出した前記研磨パッド部分の表面を支えるガイド部材が、前記チャックとは独立して設けられていることを特徴とする基板の化学機械研磨装置。

IPC (3件)：

H01L 21/304 621 , H01L 21/304 622 , B24B 37/04

FI (3件)：

H01L 21/304 621 D , H01L 21/304 622 F , B24B 37/04 G

Fターム (10件)：

3C058AA07 , 3C058AA11 , 3C058AA16 , 3C058AB01 , 3C058AB04 , 3C058AB06 , 3C058AB08 , 3C058AC04 , 3C058CB01 , 3C058DA17

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