特許

J-GLOBAL ID：200903029601216829

半導体装置の製造方法

発明者： 臧前 正樹
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-042182
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249618
出願日： 1994年03月14日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し、耐酸化性の向上と高い成膜速度を両立させるシリコン窒化膜成膜方法を提供する。【構成】 原料ガスにシランとアンモニアを用い、成膜温度を630°C以下、成膜圧力を10Torr以上で熱CVD法によってシリコン窒化膜を成膜する。この際、原料ガスのシランに代えて、ジシラン、トリシラン等の高次シランを用い、また、原料ガスのアンモニアに代えてヒドラジンまたはモノメチルシトラジン、トリメチルヒドラジン等のヒドラジンの誘導体を用いることができる。

請求項（抜粋）：

原料ガスにシランとアンモニアを用い、成膜温度を630°C以下、成膜圧力を10Torr以上で熱CVD法によりシリコン窒化膜を成膜する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/318