特許
J-GLOBAL ID:200903029602252640

磁気光学素子の基板用ガーネット結晶及びその製造法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-140019
公開番号(公開出願番号):特開平9-328397
出願日: 1996年06月03日
公開日(公表日): 1997年12月22日
要約:
【要約】【目的】 格子定数が大きい新規な磁気光学素子の基板用ガーネット結晶を得る。【解決手段】 一般式: Ca3LixNb(1.5+x)Ga(3.5-2x)O12(但し、xは0.24≦x≦0.60)で表される磁気光学素子の基板用ガーネット結晶。【効果】 ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜にビスマスを多量に固溶できる良好な結晶が得られた。
請求項(抜粋):
一般式: Ca3LixNb(1.5+x)Ga(3.5-2x)O12 (但し、xは0.24≦x≦0.60)で表される磁気光学素子の基板用ガーネット結晶。
IPC (7件):
C30B 29/28 ,  C30B 19/00 ,  H01F 10/24 ,  H01F 41/28 ,  C30B 15/00 ,  C30B 25/18 ,  G02F 1/09 501
FI (7件):
C30B 29/28 ,  C30B 19/00 S ,  H01F 10/24 ,  H01F 41/28 ,  C30B 15/00 Z ,  C30B 25/18 ,  G02F 1/09 501

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